3-нм продукция 1-го поколения, в сравнении с 5-нм, позволяет снизить уровень энергопотребления на 45%, увеличить быстродействие транзисторов на 23%, а также повысить плотность их размещения на 16%.
Продукция 2-го поколения, заверили в Samsung, будет еще более продвинутая. Она сможет потреблять на 50% меньше энергии, повысит производительность на 30%, а занимаемая ею площадь будет уменьшена на 35%.
Архитектура GAA позволяет еще сильнее уменьшить размеры транзисторов, не влияя на их способность проводить ток. Ожидается, что компоненты для мобильных устройств будут производиться по нормам 3-нм не ранее 2023 года.
Samsung опередила Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), которая только занимается переходом на 3-нм нормы производства. Тайваньская компания рассчитывает приступить к серийному производству 3-нм продукции во втором полугодии.
