Как сообщили РИА Новости в пресс-службе Минобрнауки, среди таких приборов – быстродействующие и энергоэффективные переключатели, химические и биологические сенсоры, а также детекторы излучения, которые нельзя создать на обычных полупроводниках.
Основой полупроводниковой электроники является p-n-переход – область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости. Для электронов такой переход выступает односторонним энергетическим барьером. Однако механизм протекания тока в p-n-переходах на основе двухслойного графена долгое время оставался неизвестным.
Ученые из лаборатории оптоэлектроники двумерных материалов Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ ответили на этот вопрос и обнаружили доминирующий квантовый туннельный тип проводимости в этом материале.
Обнаруженный эффект позволит двухслойному графену выступать в роли чувствительного химического и биологического сенсора. Результаты исследования, выполненного при поддержке Российского научного фонда и Минобрнауки РФ, опубликованы в журнале Nano Letters.
