Компании Hewlett-Packard и SanDisk договорились объединить усилия и вместе разработать новый тип энергонезависимой памяти, который был бы в тысячу раз быстрее и устойчивее к износу, чем флеш-накопители. Новые чипы памяти задумываются не только надежными, но также емкими и дешевыми, чтобы вытеснить с рынка динамическую оперативную память с произвольным доступом (DRAM).
В рамках сотрудничества партнеры задействуют две технологии, которые они разрабатывали по отдельности: мемристоры HP и так называемую резистивную память с произвольным доступом (RRAM) SanDisk. В обеих применяются материалы, которые изменяют свое электрическое сопротивление в присутствии тока. Инженеры HP помогут в разработке новой технологии, а SanDisk — будет производить чипы.
Партнеры уже заявили, что они не намерены лицензировать новую технологию другим производителям. По предварительной оценке, она появятся на рынке через 3–5 лет.
Разработку RRAM-памяти ведут и другие компании, в частности Crossbar. А прошлым летом ученые из американского Университета Райса представили технологию производства резистивной памяти, которая позволяет создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. У одного из прототипов плотность хранения данных была настолько высока, что на микросхеме размером с почтовую марку мог быть умещен терабайт памяти.
Разработка HP и SanDisk будет конкурировать с совершенно новым классом энергонезависимой памяти 3D Xpoint, который компании Intel и Micron анонсировали в июле. Их технология обладает таким же достоинством — она в тысячу раз быстрее и долговечнее, чем распространенная сегодня флеш-память NAND. Кроме того, плотность размещения компонентов новой разработки в десять раз выше, чем у стандарта NAND. Все это приведет к многократному увеличению скорости доступа процессора к информации, повышенной прочности и высоким показателям чтения/записи данных.
Источник: The Wall Street Journal
